黑碳化硅是一种半导体,电阻率在10-2~1012Ω·m之间,随晶体中杂质的种类和数量而变化。影响最大的杂质是铝、氮和硼。含铝较多时,碳化硅导电性显著增大。碳化硅的导电性随电场强度的增大而迅速提高,具有非线性变化的特点如图1-30所示,可用V=C·Iα表示。其中V为电压,C为材料常数,α为非线性指数。避雷器阀片就是利用碳化硅的这种半导体特性制作的。
碳化硅的电阻率随温度而变化,温度升高电阻率变小,与金属的温度特性相反,如图1-31所示。